HN1B01FDW1T1G, SC-74 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017605560
- Артикул
- HN1B01FDW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.04
- Длина
- 3 mm
- Серия
- HN1B01FDW1
- Высота
- 0.94 mm
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 200mA 60V Dual Complementary
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | HN1B01FDW1 |
| Высота | 0.94 mm |
| Ширина | 1.5 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |