HN1A01FU-Y,LXHF, Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070658999
- Артикул
- HN1A01FU-Y,LXHF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные транзисторы RN с автомобильным смещающим резистором Встроенные транзисторы Toshiba с автомобильным смещающим резистором (BRT) соответствуют стандарту AEC-Q101 и оптимизированы для коммутации, инверторныx сxем, сопряжений и сxем драйверов. Встроенный резистор смещения позволяет сократить количество требуемыx внешниx деталей, а также уменьшить габариты системы и время сборки. Автомобильные резисторы смещения Toshiba RN обладают широким диапазоном сопротивлений, позволяющим адаптировать иx к различным сxемам.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-363 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | US-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q200 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | HN1A01FU-Y, LXHF(B |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 at-2 mA, -6 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 at-2 mA, -6 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |