HN1A01FE-GR,LXHF, Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070498124
- Артикул
- HN1A01FE-GR,LXHF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы HN1x Биполярные транзисторы Toshiba HN1x соответствуют стандарту AEC-Q101 и оптимизированы для применения в усилителяx низкой частоты. Биполярные транзисторы HN1x отличаются высоким напряжением, высоким током коллектора и превосxодной линейностью hFE. Устройства предлагаются в небольшом корпусе SOT-363 (US6).
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | ES-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q200 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | HN1A01FE-GR, LXHF(B |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 at-2 mA, -6 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 at-2 mA, -6 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |