HGTP5N120BND, БТИЗ TO-220AB-3 IGBT модуль
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646562
- Артикул
- HGTP5N120BND
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- NPT(非穿通型)
- Вес, г
- 2.2
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
- Collector Current (Ic)
- 21A
Цена по запросу
(от 274,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
167 Вт 21А 1,2 кВ NPT(非穿通型) TO-220AB-3 IGBTs ROHS
Технические параметры
| Type | NPT(非穿通型) |
| Вес, г | 2.2 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 21A |
| Power Dissipation (Pd) | 167W |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 22ns |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 53nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 160ns |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 65ns |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.7V@15V, 5A |