HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247-3LD.]
![HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247-3LD.]](https://static.epl-electro.ru/lib/307/DOC005307894.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9110051033
- Артикул
- HGTG5N120BND
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 7.5
- Корпус
- TO-247
- Технология/семейство
- NPT
- Рабочая температура (Tj), °C
- -55…+150
Цена по запросу
(от 351 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор IGBT, 1,2кВ, 10А, 167Вт, TO247 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 7.5 |
| Корпус | TO-247 |
| Технология/семейство | NPT |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 21 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 167 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 22 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 160 |