HGTG20N60B3D, Транзистор IGBT 600В 40А 165Вт [TO-247-3LD.] [EOL]
![HGTG20N60B3D, Транзистор IGBT 600В 40А 165Вт [TO-247-3LD.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/307/DOC005307894.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000285894
- Артикул
- HGTG20N60B3D
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 7.5
- Корпус
- TO-247
- Технология/семейство
- UFS Series
- Рабочая температура (Tj), °C
- -40…+150
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT, TO-247; Ток коллектора постоянного тока: 40 А; Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (вкл.): 1,8 В; Рассеиваемая мощность Pd: 165 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V(вкл.)ceo: 600 В; Тип корпуса транзистора: TO-247; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура:150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Свинцовый (27 июня 2018 г.); Альтернативный тип корпуса: SOT-249; Постоянный ток микросxемы a Max: 40A; Текущая температура: 25°C; Маркировка устройства: HGTG20N60B3D; Время отключения tf: 200ns; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Количество транзисторов: 1; Минимальная рабочая температура: -40°C; Диапазон рабочиx температур: от -40°C до +150°C; Конфигурация контактов: С диодом-маxовиком; Максимальная рассеиваемая мощность: 165 Вт; Импульсный ток Icm: 160A; Время нарастания: 20нс; Полярность транзистора: N-канальный; Тип транзистора: IGBT; Напряжение Vces: 600 В
Технические параметры
| Вес, г | 7.5 |
| Корпус | TO-247 |
| Технология/семейство | UFS Series |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 165 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |