HGTG20N60B3, Транзистор IGBT 600В 40А 165Вт [TO-247-3LD.] [EOL] [HG20N60B3]
![HGTG20N60B3, Транзистор IGBT 600В 40А 165Вт [TO-247-3LD.] [EOL] [HG20N60B3]](https://static.epl-electro.ru/lib/220/DOC001220075.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 35468
- Артикул
- HGTG20N60B3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 7.5
- Корпус
- TO-247
- Технология/семейство
- UFS Series
- Рабочая температура (Tj), °C
- -40…+150
Цена по запросу
(от 277 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT,N-CH,600 В,40 А,TO-247; Ток коллектора постоянного тока: 40 А; Напряжение насыщения коллектор-эмиттера Vce (вкл.): 2 В; Рассеиваемая мощность Pd: 165 Вт; Напряжение коллектор-эмиттера V(вкл.)ceo: 600 В; Тип корпуса транзистора: TO-247; Количество контактов:3 контакта; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL:-; SVHC: Ведущий (27 июня 2018 г.); Минимальная рабочая температура: -40°C; Диапазон рабочиx температур: от -40°C до +150°C; Максимальная рассеиваемая мощность: 165 Вт; Тип транзистора: IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 7.5 |
| Корпус | TO-247 |
| Технология/семейство | UFS Series |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 165 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |