HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт [TO-247.] [EOL]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 9000024624
Артикул: HGTG20N60A4
Бренд: ON Semiconductor***
Вес, г: 7.5
Корпус: TO-247
Технология/семейство: SMPS Series
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150

HGTG20N60A4pdf, 140 КБ Документацияpdf, 352 КБ

Цена по запросу

(от 510 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IGBT, N, TO-247; Ток коллектора постоянного тока: 70 А; Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (вкл.): 2,7 В; Рассеиваемая мощность Pd: 290 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V(вкл.)ceo: 600 В; Тип корпуса транзистора: TO-247; Количество контактов: 3; Рабочая температура Макс.: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Свинцовый (27 июня 2018 г.); Альтернативный тип корпуса: SOT-249; Постоянный ток микросxемы a Max: 70A; Текущая температура: 25°C; Маркировка устройства: HGTG20N60A4; Время отключения tf: 32 секунды; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Количество транзисторов:1; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +150°C; Формат вывода: GCE; Максимальная рассеиваемая мощность: 290 Вт; Максимальная рассеиваемая мощность Ptot:290 Вт; Импульсный ток Icm: 280A; Время нарастания: 12 нс; Тип подключения: Сквозное отверстие; Полярность транзистора: N-канальный; Тип транзистора: IGBT; Напряжение Vces: 600 В

Технические параметры

Вес, г	7.5
Корпус	TO-247
Технология/семейство	SMPS Series
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Наличие встроенного диода	Нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	70
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Импульсный ток коллектора (Icm), А	280
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	15
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	73

Техническая документация

HGTG20N60A4pdf, 140 КБ Документацияpdf, 352 КБ HGTG20N60A4_Dpdf, 345 КБ