HGTD1N120BNS9A, IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004835143
- Артикул
- HGTD1N120BNS9A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- -
- Series:
- HGTD1N120BNS
- IGBT Type
- NPT
Цена по запросу
(от 175,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | - |
| Series: | HGTD1N120BNS |
| IGBT Type | NPT |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Input Type | Standard |
| Вес, г | 0.26 |
| Gate Charge | 14nC |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Test Condition | 960V, 1A, 82Ohm, 15V |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Base Part Number | HGTD1N120 |
| Switching Energy | 70ВµJ(on), 90ВµJ(off) |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 15ns/67ns |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| Continuous Collector Current: | 5.3 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5.3A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 6A |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 5.3 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 5.3 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |