HGT1S10N120BNST, Type N-Channel IGBT, 35 A 1200 V, 3-Pin TO-263, Surface
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009695728
- Артикул
- HGT1S10N120BNST
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 1 960 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT, ОДИНОЧНЫЙ, 1,2 КВ, 35 А, TO-263AB-3; Ток коллектора постоянного тока: 35 А; Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (вкл.): 2,45 В; Рассеиваемая мощность Pd: 298 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V(вкл.)ceo:1,2 кВ; Тип корпуса транзистора: TO-263AB; Нет количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции:-; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.312 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | IGBTs |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Switching Speed | 1MHz |
| Power Dissipation | 298Вт |
| Product Category: | IGBTs |
| Collector Current (DC) | 35(A) |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 298 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 298 W |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Continuous Collector Current | 35А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current: | 55 A |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.45В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 35 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.45 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 35 A |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |