Моя заявка (0)

HFD4N50-VB, 650V 4.5A 1.8-@10V,4.5A N Channel TO-252-3 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015887851
Артикул
HFD4N50-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Type
N Channel
Вес, г
0.39
Корпус
TO-252
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 58,37 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

650 В 4,5А 1.8Ohm@10V,4.5-канальные МОП-транзисторы TO-252, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.39
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Continuous Drain Current (Id)4.5A
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.8Ω@10V, 4.5A

Техническая документация