HE8550G-D-AE3-R, Транзистор биполярный BJT 100 нА 25 В 350мВт 160 при 100 мА, 1 В 1,5 А 190 МГц 280 мВ при 800 мА, 80 мА PNP +150-@(Tj) SOT-
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015832716
- Артикул
- HE8550G-D-AE3-R
- Бренд
- Unisonic Technologies Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.04
- Transistor Type
- PNP
- Структура
- pnp
- Operating Temperature
- -
Цена по запросу
(от 5,90 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
25 В 350 МВт, 160 В при 100 мА, 1 В 1,5 А, биполярные транзисторы PNP SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 190MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@800mA, 80mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 350мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 190 |