HE8050G-D-AE3-R, 100nA 25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A 100MHz 500mV@800mA,80mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015906598
- Артикул
- HE8050G-D-AE3-R
- Бренд
- Unisonic Technologies Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.8
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 4,70 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
25 В 350 МВт, 160 В при 100 мА, 1 В 1,5 А, биполярные транзисторы NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.8 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |