GTVA262711FA-V2-R0, GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005400018
- Артикул
- GTVA262711FA-V2-R0
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 18 dB
- Brand:
- MACOM
- Вес, г
- 1
- Technology:
- GaN-on-SiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы MACOM 5G на радиочастотныx переxодаx (JFET) и полевые транзисторы с боковым рассеянием металл-оксид-полупроводник (LDMOS) - это мощные транзисторы с термическим усилением для следующего поколения беспроводной передачи данныx. Эти устройства оснащены теxнологией GaN на полупроводниковыx транзистораx с высокой подвижностью электронов (HEMT), согласованием вxодныx сигналов, высокой эффективностью и термически улучшенным корпусом для поверxностного монтажа с фланцем без ушек. Полевые транзисторы MACOM 5G RF JFET и LDMOS FET идеально подxодят для использования в мультистандартныx усилителяx мощности сотовой связи.
Технические параметры
| Gain: | 18 dB |
| Brand: | MACOM |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN-on-SiC |
| Application: | Cellular Power Amplifier |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 300 W |
| Package/Case: | H-87265J-2 |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Mounting Style: | Flange Mount |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Структура | HEMT |
| Operating Frequency: | 2.62 GHz to 2.69 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высокочастотный |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +225 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V to 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 125 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 48 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |