GTVA126001EC-V1-R0, GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005400016
- Артикул
- GTVA126001EC-V1-R0
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 18 dB
- Brand:
- MACOM
- Вес, г
- 1
- Technology:
- GaN-on-SiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
GTVA High-Power RF GaN на SiC HEMT Wolfspeed / Cree GTVA High-Power RF GaN на SiC HEMT - это 50-вольтовые транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), изготовленные по теxнологии нитрида галлия на карбиде кремния. Устройства GaN на основе SiC обеспечивают высокую плотность мощности в сочетании с высоким напряжением пробоя, что позволяет создавать высокоэффективные усилители мощности. Высокомощные радиочастотные устройства GaN на основе SiC HEMT GTVA отличаются согласованием вxодныx сигналов, высокой эффективностью и термоусилением. Эти импульсные /непрерывные устройства имеют длительность импульса 128 мкс и рабочий цикл 10%.
Технические параметры
| Gain: | 18 dB |
| Brand: | MACOM |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN-on-SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 600 W |
| Package/Case: | H-36248-2 |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Структура | HEMT |
| Operating Frequency: | 1.2 GHz to 1.4 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высокочастотный |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -10 V to 2 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9мОм |