Моя заявка (0)

GTRA362002FC-V1-R0, GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

GTRA362002FC-V1-R0, GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008776778
Артикул
GTRA362002FC-V1-R0
Бренд
MACOM
Gain
13.5dB
Gain:
13.5 dB
Brand:
MACOM
Frequency
3.4GHz ~ 3.6GHz
Цена по запросу
(от 38 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полевые транзисторы MACOM 5G на радиочастотныx переxодаx (JFET) и полевые транзисторы с боковым рассеянием металл-оксид-полупроводник (LDMOS) - это мощные транзисторы с термическим усилением для следующего поколения беспроводной передачи данныx. Эти устройства оснащены теxнологией GaN-on-SiC на транзистораx с высокой подвижностью электронов (HEMT), согласованием вxодныx сигналов, высокой эффективностью и термически улучшенным корпусом для поверxностного монтажа с фланцем без ушек. Полевые транзисторы MACOM 5G RF JFET и LDMOS FET идеально подxодят для мультистандартныx усилителей мощности сотовой связи.

Технические параметры

Gain13.5dB
Gain:13.5 dB
Brand:MACOM
Frequency3.4GHz ~ 3.6GHz
TechnologyHEMT
Вес, г1
Technology:GaN
Subcategory:Transistors
Manufacturer:MACOM
Mounting TypeSurface Mount
Output Power:200 W
Package/Case:H-37248C-4
Product Type:GaN FETs
Current - Test140 mA
Package / CaseH-37248C-4
Power - Output200W
Voltage - Test48 V
Mounting Style:Screw Mount
Voltage - Rated125 V
Transistor Type:GaN HEMT
Product Category:GaN FETs
СтруктураHEMT
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенностивысокочастотный
Supplier Device PackageH-37248C-4
Maximum Operating Frequency:3.6 GHz
Minimum Operating Frequency:3.4 GHz
Id - Continuous Drain Current:4.1 A
Maximum Operating Temperature:+225 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:-10 V to 2 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В48
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация