GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
![GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](https://static.epl-electro.ru/lib/303/DOC005303031.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9500050462
- Артикул
- GT60N321
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 9.8
- Корпус
- 2-21F2C
- Технология/семейство
- Gen 4
- Рабочая температура (Tj), °C
- -55…+150
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 9.8 |
| Корпус | 2-21F2C |
| Технология/семейство | Gen 4 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 170 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 330 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 700 |