GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
![GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](https://static.epl-electro.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000339627
- Артикул
- GT50JR22(STA1,E,S)
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 4.9
- Корпус
- TO-3P(N)
- Технология/семейство
- Gen 6.5
- Рабочая температура (Tj), °C
- -55…+175
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторная микросxема IGBT N-CH 600V 50A 230000 МВт с 3-контактным разъемом (3+Tab) для подключения К магазину 3PN
Технические параметры
| Вес, г | 4.9 |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Технология/семейство | Gen 6.5 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |