GT50JR22(S1WLD,E,S), Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000953607
- Артикул
- GT50JR22(S1WLD,E,S)
- Бренд
- Toshiba
- Mounting
- Through Hole
- Packaging
- Magazine
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 4
Цена по запросу
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторная микросxема IGBT N-CH 600V 50A 230000 МВт с 3-контактным разъемом (3+Tab) для подключения К магазину 3PN
Технические параметры
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Magazine |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 4 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3PN |
| Rad Hardened | No |
| Configuration | Single |
| Collector Current (DC) | 50(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±25(V) |
| Operating Temperature Classification | Military |