GT40QR21(STA1,E,D, TO-3P-3 IGBT TransIstors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945427
- Артикул
- GT40QR21(STA1,E,D
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 830 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-3PN-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Pd - Power Dissipation: | 230 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, 25 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |