GT30N135SRA,S1E, IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019881964
- Артикул
- GT30N135SRA,S1E
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- IGBTs
Цена по запросу
(от 1 510 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 348 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.35 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.15 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |