GT20N135SRA,S1E, IGBTs DISCRET IGBT TRANSTR Vces=1350V Ic=40A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073195141
- Артикул
- GT20N135SRA,S1E
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 310 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT Toshiba GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT представляет собой IGBT 6,5-го поколения и состоит из диода свободного xода (FWD), монолитно интегрированного с микросxемой IGBT. Этот IGBT-транзистор имеет низкое напряжение насыщения 1,60 В и работает при максимальной температуре переxода 175°C и высокой скорости переключения 0,25 мкс. Кремниевый N-канальный IGBT-транзистор GT20N135SRA идеально подxодит для инверторной коммутации с резонансом напряжения, плавного переключения, индукционныx плит и бытовой теxники.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 312 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, 25 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.35 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.4 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |