GT10N10, МОП-Транзистор 100 В 7 А 115 мОм 17 Вт 2 В 1,4 пФ при 50 В N-канал 206 пФ при 50 В 4,3 нС при 10 В -55°C+150°C@(Tj) MOSFET TO-252-1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017635858
- Артикул
- GT10N10
- Бренд
- GOFORD
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 0.41
- Корпус
- TO-252
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 7A 115 Мом 17 Вт 2 В 1-канальный TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.41 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 17W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.3nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 206pF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.4pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 115mΩ |