GP2T080A120U, SiC MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063854857
- Артикул
- GP2T080A120U
- Бренд
- SemiQ
- Brand:
- SemiQ
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
GP2T080A120U 1200 В SiC N-канальный MOSFET SemiQ GP2T080A120U 1200 В SiC N-канальный MOSFET обеспечивает низкую емкость и высокую эффективность системы. Этот МОП-транзистор отличается высокой скоростью переключения, повышенной удельной мощностью, уменьшенным размером радиатора и надежным диодным корпусом. Компоненты N-канального МОП-транзистора GP2T080A120U SiC напряжением 1200 В протестированы на напряжение выше 1400 В и лавинное напряжение до 200 МДж. Этот МОП-транзистор может использоваться в такиx приложенияx, как солнечные инверторы, зарядные станции для электромобилей, индукционный нагрев и сварка, а также в приводаx двигателей.
Технические параметры
| Brand: | SemiQ |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | SemiQ |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 58 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 188 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |