GP2T080A120H, SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063854858
- Артикул
- GP2T080A120H
- Бренд
- SemiQ
- Brand:
- SemiQ
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 4 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
GP2T080A120H 1200 В SiC MOSFET SemiQ GP2T080A120H 1200 В SiC MOSFET обеспечивает меньшую емкость и более высокую эффективность системы. GP2T080A120H оснащен высокоскоростным переключением, выводом источника питания драйвера для управления затвором и надежным диодом на корпусе. Компоненты SiC MOSFET GP2T080A120H напряжением 1200 В протестированы на напряжение выше 1400 В, а лавинные испытания - на 200 МДж. Кроме того, GP2T080A120H легко распараллеливается и обеспечивает более низкое Qg. Устройство идеально подxодит для солнечныx инверторов, станций зарядки электромобилей, индукционного нагрева и сварки, а также для водителей двигателей.
Технические параметры
| Brand: | SemiQ |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | SemiQ |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 188 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 77 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |