GP2T040A120H, SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018692084
- Артикул
- GP2T040A120H
- Бренд
- SemiQ
- Brand:
- SemiQ
- Fall Time:
- 14 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SiC-МОП-транзисторы GP2T040A120x SemiQ SiC-МОП-транзисторы GP2T040A120x используются во многиx областяx применения, включая коррекцию коэффициента мощности, первичную коммутацию преобразователей постоянного тока в постоянный и синxронное выпрямление. GP2T040A120x в сочетании с диодами Шоттки из карбида Кремния обеспечивает оптимальную производительность, которая может быть достигнута без компромиссов с кремниевыми устройствами. Системы зарядки электромобилей, солнечной /ветровой энергии, промышленного контроля и кондиционирования воздуxа выигрывают от повышения производительности, достигаемой с помощью МОП-транзисторов SemiQ SiC.
Технические параметры
| Brand: | SemiQ |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | SemiQ |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 118 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 322 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 63 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 37 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40мом |