GD50HFX170C1S, IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012538207
- Артикул
- GD50HFX170C1S
- Бренд
- STARPOWER
- Вес, г
- 150
- Power Dissipation
- 418Вт
- Выводы БТИЗ
- Stud
- Continuous Collector Current
- 100А
Цена по запросу
(от 10 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 150 |
| Power Dissipation | 418Вт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Continuous Collector Current | 100А |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Технология БТИЗ | Trench |
| DC Ток Коллектора | 100А |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 418Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |