GD150HFX65C1S, IGBT Module, Half Bridge, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004293335
- Артикул
- GD150HFX65C1S
- Бренд
- STARPOWER
- Вес, г
- 300
- Power Dissipation
- 437Вт
- Выводы БТИЗ
- Stud
- Continuous Collector Current
- 180А
Цена по запросу
(от 11 450 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой IGBT модуль с кодом заказа GD150HFX65C1S. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 650В. Ток коллектора составляет 150А. Рассеиваемая мощность 437 Вт. Силовой IGBT модуль GD150HFX65C1S производства STARPOWER является аналогом силового IGBT модуля SKM145GB066D производства Semikron. Область применения: цепи преобразователей напряжений, устройства управления приводами электродвигателей, источники бесперебойного питания, исполнительные устройства промышленной автоматики.
Технические параметры
| Вес, г | 300 |
| Power Dissipation | 437Вт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Continuous Collector Current | 180А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| DC Ток Коллектора | 180А |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
| Рассеиваемая Мощность | 437Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |