Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025170716
Артикул
GBS65060TOB
Бренд
GOSEMICON
Вес, г
1
Корпус
to247
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
192W
Цена по запросу
(от 588 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Корпусto247
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)192W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)95nC
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.3nF
Continuous Drain Current (Id)23A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)4pF
Пороговое напряжение на затворе4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт192
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)50mΩ@10V, 16.4A