GANE3R9-150QBAZ, GaN FETs GANE3R9-150QBA/ SOT8091/VQFN7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032627242
- Артикул
- GANE3R9-150QBAZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- GaN
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 938,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевой транзистор GANE3R9-150QBA на основе нитрида галлия (GaN) Nexperia GANE3R9-150QBA на основе нитрида галлия (GaN) - это полевой транзистор общего назначения на 150 В, 3,9 Мом на основе нитрида галлия (GaN). GANE3R9-150QBA - это устройство, работающее в обычном режиме e-mode, которое обеспечивает превосxодную производительность и очень низкое сопротивление при включении. Nexperia GANE3R9-150QBA выпускается в корпусе Quad Flat с очень тонким профилем без выводов (VQFN).
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | VQFN-7 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934667633332 |
| Product Category: | GaN FETs |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 V, +6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.9 mOhms |