GANB4R8-040CBAZ, GaN FETs GANB4R8-040CBA/ SOT8086/WLCSP22
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032627010
- Артикул
- GANB4R8-040CBAZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- GaN
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 246,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двунаправленный GaN-транзистор GANB4R8-040CBA Nexperia GANB4R8-040CBA представляет собой двунаправленный GaN-транзистор с высокой электронной подвижностью (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) напряжением 40 В и 4,8 Мом. Полевой транзистор GANB4R8-040CBA работает в обычном режиме и обеспечивает превосxодную производительность. Nexperia GANB4R8-040CBA выпускается в корпусе WLCSP ("Чип-шкала уровня пластины").
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | WLCSP-22 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934667630341 |
| Product Category: | GaN FETs |
| Qg - Gate Charge: | 15.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 13 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Пороговое напряжение на затворе | -6 V, +6 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |