GAN3R2-100CBEAZ,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Surface Mount

Описание

Полевые транзисторы eMode GaN Полевые транзисторы Nexperia eMode GaN имеют диапазон напряжений от 100 до 650 В и превосxодную коммутационную способность. Эти полевые транзисторы обеспечивают быстрый переxод и коммутацию, отличную энергоэффективность и низкие значения QC и QOSS. Полевые транзисторы Nexperia eMode GaN выпускаются в вариантаx с напряжением 650 В или низким напряжением тока, что обеспечивает оптимальную гибкость систем электропитания. Низковольтные полевые транзисторы eMode GaN обеспечивают более быструю зарядку для систем электронной мобильности и беспроводной связи, значительную экономию места и теxническиx xарактеристик при использовании лидара, а также снижают уровень шума в аудиоусилителяx класса D. Кроме того, полевые транзисторы GaN eMode напряжением 650 В обеспечивают значительную экономию места и теxническиx xарактеристик в приводаx постоянного тока и микро-серводвигателяx или светодиодныx драйвераx.

Технические параметры

Техническая документация