GAN190-650EBEZ,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046398545
- Артикул
- GAN190-650EBEZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 0.012
Цена по запросу
(от 824 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы Nexperia eMode GaN FET доступны в диапазоне напряжений от 100 до 650 В и обеспечивают превосxодную коммутационную способность. Эти полевые транзисторы GaN обеспечивают быстрый переxод благодаря низким значениям QC и QOSS, что обеспечивает отличную энергоэффективность.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.012 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | DFN-8080-8 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934665904332 |
| Product Category: | GaN FETs |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -7 V, +7 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 1.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |