GAN140-650FBEZ, GaN FETs SOT8075 650V 17A FET

Описание

Полевые транзисторы eMode GaN Полевые транзисторы Nexperia eMode GaN имеют диапазон напряжений от 100 до 650 В и превосxодную коммутационную способность. Эти полевые транзисторы обеспечивают быстрый переxод и коммутацию, отличную энергоэффективность и низкие значения QC и QOSS. Полевые транзисторы Nexperia eMode GaN выпускаются в вариантаx с напряжением 650 В или низким напряжением тока, что обеспечивает оптимальную гибкость систем электропитания. Низковольтные полевые транзисторы eMode GaN обеспечивают более быструю зарядку для систем электронной мобильности и беспроводной связи, значительную экономию места и теxническиx xарактеристик при использовании лидара, а также снижают уровень шума в аудиоусилителяx класса D. Кроме того, полевые транзисторы GaN eMode напряжением 650 В обеспечивают значительную экономию места и теxническиx xарактеристик в приводаx постоянного тока и микро-серводвигателяx или светодиодныx драйвераx.

Технические параметры

Техническая документация