GAN111-650WSBQ, GaN FETs GAN111-650WSB/ SOT429/TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038520581
- Артикул
- GAN111-650WSBQ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- GaNFET(Gallium Nitride)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 21 А (Ta) 107 Вт (Ta) со сквозным отверстием TO-247-3L
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | GaNFET(Gallium Nitride) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114mOhm @ 14A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 107W(Ta) |
| Supplier Device Package | TO-247-3L |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 336 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A(Ta) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |