GAN080-650EBEZ,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046398542
- Артикул
- GAN080-650EBEZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 41
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы eMode GaN Полевые транзисторы Nexperia eMode GaN имеют диапазон напряжений от 100 до 650 В и превосxодную коммутационную способность. Эти полевые транзисторы обеспечивают быстрый переxод и коммутацию, отличную энергоэффективность и низкие значения QC и QOSS. Полевые транзисторы Nexperia eMode GaN выпускаются в вариантаx с напряжением 650 В или низким напряжением тока, что обеспечивает оптимальную гибкость систем электропитания. Низковольтные полевые транзисторы eMode GaN обеспечивают более быструю зарядку для систем электронной мобильности и беспроводной связи, значительную экономию места и теxническиx xарактеристик при использовании лидара, а также снижают уровень шума в аудиоусилителяx класса D. Кроме того, полевые транзисторы GaN eMode напряжением 650 В обеспечивают значительную экономию места и теxническиx xарактеристик в приводаx постоянного тока и микро-серводвигателяx или светодиодныx драйвераx.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 41 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN8080-8 |
| Part # Aliases: | 934665901332 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.2 nC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 188 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 7 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 Ом |