GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; каскодный; 650В; 33,4А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050592336
- Артикул
- GAN041-650WSBQ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT429, TO247
- Mounting
- THT
- Technology
- GaN
- Вес, г
- 4.75
Цена по запросу
(от 5 840 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевой транзистор Nexperia на основе нитрида галлия (GaN) в корпусе TO-247 - это обычно отключаемое устройство, которое сочетает в себе новейшую высоковольтную теxнологию Nexperia GaN HEMT H2 и низковольтные кремниевые МОП-транзисторы, обеспечивающие превосxодную надежность и производительность.
Технические параметры
| Case | SOT429, TO247 |
| Mounting | THT |
| Technology | GaN |
| Вес, г | 4.75 |
| Gate charge | 22nC |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 33.4A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 187W |
| Kind of transistor | cascode, HEMT |
| Type of transistor | N-JFET/N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 35mΩ |
| Drain-source voltage | 650V |
| Pulsed drain current | 240A |
| Особенности | - |
| On Resistance Rds(on) Max | 0.041Ом |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.041Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 47.2 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 47.2А |
| Заряд затвора, типовой (Qg) | 22нКл |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 187 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |