GAN039-650NTBJ,Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046487357
- Артикул
- GAN039-650NTBJ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- GaNFET(Gallium Nitride)
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 4 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 58,5 А (Ta) 250 Вт (Ta) для поверxностного монтажа CCPAK1212i
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | GaNFET(Gallium Nitride) |
| Вес, г | 0.01 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 12-BESOP(0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 1mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 32A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 250W(Ta) |
| Supplier Device Package | CCPAK1212i |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1980 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58.5A(Ta) |