Моя заявка (0)

G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8036553939
Артикул
G3R45MT17D
Бренд
GENESIC SEMICONDUCTOR
Case
TO247-3
Mounting
THT
Technology
G3R™, SiC
Вес, г
1.39
Цена по запросу
(от 10 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO247-3
MountingTHT
TechnologyG3R™, SiC
Вес, г1.39
Gate charge182nC
Channel TypeN Channel
ManufacturerGeneSiC SEMICONDUCTOR
Polarisationunipolar
Drain current43A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power Dissipation438Вт
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage-5…15V
On-state resistance45mΩ
Drain-source voltage1.7kV
Pulsed drain current160A
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.045Ом
Линейка ПродукцииG3R
Количество Выводов3вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока61А
Рассеиваемая Мощность438Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.7В
Напряжение Измерения Rds(on)15В
Напряжение Истока-стока Vds1.7кВ
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В438
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.045Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А43
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт438
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация