G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041297543
- Артикул
- G3R40MT12D
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- G3R™, SiC
- Вес, г
- 6.1
Цена по запросу
(от 4 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | G3R™, SiC |
| Вес, г | 6.1 |
| Gate charge | 106nC |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 50A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 333W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 140A |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 333 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 333 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |