G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8036553935
- Артикул
- G3R30MT12K
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Вес, г
- 6.7
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 400Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 4 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 6.7 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 400Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.03Ом |
| Линейка Продукции | G3R |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 90А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 63 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 400 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |