G3R160MT17D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007311613
- Артикул
- G3R160MT17D
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- G3R™, SiC
- Вес, г
- 1.393
Цена по запросу
(от 3 570 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | G3R™, SiC |
| Вес, г | 1.393 |
| Gate charge | 21nC |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 15A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power Dissipation | 175Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| On-state resistance | 0.16Ω |
| Drain-source voltage | 1.7kV |
| Pulsed drain current | 48A |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
| Линейка Продукции | G3R |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 21А |
| Рассеиваемая Мощность | 175Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 175 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.16 Ом |