G3R160MT12J, TO-263-7 SIlIcon CarbIde FIeld Effect TransIstor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070232478
- Артикул
- G3R160MT12J
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Вес, г
- 1.9
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 128Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.16Ом
Цена по запросу
(от 1 432,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Напряжение Vds: 1,2кВ; Нет. Количество контактов: 7; Испытательное напряжение Rds (включено): 15 В; Рассеиваемая мощность: 128 Вт Соответствует требованиям Rohs: Да |Genesic Semiconductor G3R160MT12J
Технические параметры
| Вес, г | 1.9 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 128Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
| Линейка Продукции | G3R |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 22А |
| Рассеиваемая Мощность | 128Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |