G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8036553934
- Артикул
- G3R160MT12D
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- G3R™, SiC
- Вес, г
- 6.21
Цена по запросу
(от 450 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | G3R™, SiC |
| Вес, г | 6.21 |
| Gate charge | 28nC |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 16A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power Dissipation | 123Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| On-state resistance | 0.16Ω |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 40A |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
| Линейка Продукции | G3R |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 22А |
| Рассеиваемая Мощность | 123Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 123 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 123 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |