G3R12MT12K, SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018694055
- Артикул
- G3R12MT12K
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +22V, -10V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 11 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 157А (Tc) 567 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-247-4
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 50mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 100A, 18V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 567W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 288 nC @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9335 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 157A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12мОм |