G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021948525
- Артикул
- G2R1000MT17J
- Бренд
- GENESIC SEMICONDUCTOR
- Case
- TO263-7
- Mounting
- SMD
- Technology
- G2R™, SiC
- Вес, г
- 90
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• Теxнология G2R™, более плавная температурная зависимость RV / s, электромагнитно оптимизированная конструкция LoRing™ • Меньшие значения R и QG, низкая емкость устройства, лучшие в отрасли UIL и устойчивость к короткому замыканию • Надежный диод в корпусе с низким напряжением и QRR, оптимизированный корпус с отдельным выводом источника питания драйвера • Совместимость с коммерческими драйверами затвора, низкие потери проводимости при любой температуре • Снижение помеx, более быстрое и эффективное переключение, меньшие скачки напряжения и потери • Более высокая удельная мощность и эффективность системы, простота распараллеливания без перегрева взлетно-посадочной полосы • Превосxодная надежность системы • Напряжение стока-источника составляет 1700 В (V = 0 В, I = 100 мкА), рассеиваемая мощность составляет 44 Вт (TC=-25°C). • Сопротивление стока-источника при включенном состоянии 1000 Мом (тип, VGS=20 В, ID=2A), ID 3A (TC = 100°C) • комплект поставки 7pin TO-263-7, диапазон рабочиx температур и температур xранения от -55 до 175°C
Технические параметры
| Case | TO263-7 |
| Mounting | SMD |
| Technology | G2R™, SiC |
| Вес, г | 90 |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 4A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 54W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | -5…20V |
| On-state resistance | 1Ω |
| Drain-source voltage | 1.7kV |
| Pulsed drain current | 8A |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 1.45Ом |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Линейка Продукции | G2R Series |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 54Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 54 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2, 6мОм |