Моя заявка (0)
FZT956TA, Bipolar Transistors - BJT PNP High Current

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004841741
Артикул
FZT956TA
Бренд
DIODES INC.
Case
SOT223
Mounting
SMD
Pin Count
3+Tab
Вес, г
0.23
Цена по запросу
(от 185,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 200В, 2А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

CaseSOT223
MountingSMD
Pin Count3+Tab
Вес, г0.23
Длина6.7 mm
СерияFZT956
Package TypeSOT-223(SC-73)
Polarisationbipolar
Высота1.65 mm
Ширина3.7 mm
Mounting TypeSurface Mount
Kind of packagereel, tape
Transistor TypePNP
Collector current2A
Power Dissipation3Вт
Type of transistorPNP
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min50hFE
Minimum DC Current Gain100
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage200V
Maximum Power Dissipation3 W
Maximum Operating Frequency110 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Continuous Collector Current2А
Maximum DC Collector Current-2 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Collector Emitter Voltage Max200В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage220 V
DC Усиление Тока hFE50hFE
Maximum Collector Emitter Voltage-200 V
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft110МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности3 W
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)220 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.200 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер275 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)110 MHz

Техническая документация