Моя заявка (0)

FZT955TA, Trans GP BJT PNP 140V 4A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

FZT955TA, Trans GP BJT PNP 140V 4A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001070093
Артикул
FZT955TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Длина
6.7 mm (Max)
Серия
FZT955
Высота
1.65 mm (Max)
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP High Current

Технические параметры

Вес, г1
Длина6.7 mm (Max)
СерияFZT955
Высота1.65 mm (Max)
КорпусSOT-223
Ширина3.7 mm (Max)
Transistor TypePNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)4A
Power Dissipation (Pd)3W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)110MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@1A, 5V
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)140V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности3 W
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)370mV@300mA, 3A
Непрерывный коллекторный ток4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.140 V
Максимальный постоянный ток коллектора10 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер370 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)110 MHz

Техническая документация