FZT949TA, Транзистор биполярный, стандартный, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048099581
- Артикул
- FZT949TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT223
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP HighCt Low Sat
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 100MHz |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 3 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | FZT949 |
| Power - Max | 3W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarisation | bipolar |
| REACH Status | REACH Affected |
| Высота | 1.65 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | PNP |
| Collector current | 5.5A |
| Power dissipation | 3W |
| Type of transistor | PNP |
| Base Product Number | FZT949 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 30V |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 5.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 440mV @ 500mA, 5.5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5.5A |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 440 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |