FZT855TA, Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 5А, 3Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072513899
- Артикул
- FZT855TA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- Brand
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 189,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Current
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | FZT855 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.16 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | FZT855 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1.65 mm |
| Ширина | 3.7 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 3.5 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Package Height | 1.6 |
| Package Length | 6.5 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 3 W |
| DC Current Gain HFE Max | 100 |
| Minimum DC Current Gain | 15@5A@5V|100@1A@5V|100@10mA@5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 90 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 250 V |
| Continuous Collector Current | 5 A |
| Maximum DC Collector Current | 10 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 15 at 5 A, 5 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 250 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 90(Typ) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 150 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 355 mV |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 150 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.25@500mA@5A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.04@5mA@100mA|0.065@50mA@500mA|0.11@100mA@1A|0.355@500mA@5A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 250 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 355 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 at 5 A, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 90 MHz |